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GA36N60A3
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IXGA36N60A3 , IXYS

Fabricante: IXYS
Número de pieza del fabricante: IXGA36N60A3
Paquete: TO-263AA-3
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For IXGA36N60A3

Descripción:
IGBT Transistors DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
Solicitud de presupuesto In Stock: 313694
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Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Transistors
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 220 W
Product Type IGBT Transistors
Package / Case TO-263AA-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 200 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 50
Subcategory IGBTs
Referencias cruzadas
822766
1156
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Transistors_1156?proid=822766&N=
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