Free Shipping On Orders Over USD$399 Within 2Kg
GD10N65T6ARMA1
Payment:
Delivery:

IGD10N65T6ARMA1 , Infineon Technologies

Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante: IGD10N65T6ARMA1
Paquete:
RoHS:
Ficha de datos:

PDF For IGD10N65T6ARMA1

Descripción:
IGD10N65T6ARMA1
Solicitud de presupuesto In Stock: 194722
Consejos cálidos: complete el formulario a continuación y nos comunicaremos con usted lo antes posible.
*Cantidad:
*Nombre:
*Email:
Teléfono:
Precio objetivo:
Remark:
Enviar Consulta
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Especificaciones técnicas del producto
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A
Power - Max 75 W
Switching Energy 200µJ (on), 70µJ (off)
Td (On/Off) @ 25°C 30ns/106ns
Igbt Type Trench Field Stop
Supplier Device Package PG-TO252-3
Current - Collector Pulsed (Icm) 42.5 A
Input Type Standard
Gate Charge 27 nC
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
Vce(On) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 8.5A
Test Condition 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (Trr) -
Referencias cruzadas
11958982
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11958982&N=
$